На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SJ352-E | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3P |
Производитель | Производитель | Renesas Technology America |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <100 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 800 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
FET Feature | FET Feature | Standard |