На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SJ312(Q) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-10S1B |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <40 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <14 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <120 мОмId, Vgs = 7A, 10V |
Заряд затвора | QG | 45 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |