На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | XN04A8800L | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Mini 6P |
Производитель | Производитель | Panasonic - SSG |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 2mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <80 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 4.7 кОм |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA |
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | >20Ic, Vce = 5mA, 10V |
Ток отсечки коллектора второго транзистора | Ifrc2 | <100 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока второго биполярного транзистора | fh212 | <100 МГц |