XN0438100L

XN04381, XN0438100L

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрXN0438100L
Корпус микросхемы
Корпус
Mini 6P
Производитель
Производитель
Panasonic - SSG
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток отсечки коллектора
Ifrc
500 нА
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора
UCE-sat2
<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора
hFE2
>50Ic, Vce = 100mA, 10V
Постоянный ток коллектора второго транзистора
IC2
<500 мА
Ток отсечки коллектора второго транзистора
Ifrc2
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока второго биполярного транзистора
fh212
<200 МГц