XN04130

XN04130, XN0413000L

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрXN0413000L
Корпус микросхемы
Корпус
Mini 6P
Производитель
Производитель
Panasonic - SSG
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 6mA, 300mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<130 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Сопротивление, подключенное к базе
RB
10 кОм