UMF4NTR

UMF4, UMF4NTR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрUMF4NTR
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>270Ic, Vce = 10mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Сопротивление, подключенное к базе
RB
2.2 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
2.2 кОм
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора
UCE-sat2
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора
hFE2
>20Ic, Vce = 20mA, 5V
Постоянный ток коллектора второго транзистора
IC2
<1 А
Предельная частота коэффициента передачи тока второго биполярного транзистора
fh212
<260 МГц