На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PUMD48,115 | PUMD48,125 | PUMD48,165 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 1 мкА | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | ||
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | ||