На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PEMB9,115 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 1 мкА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 47 кОм |