На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBLS6003D,115 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-74-6 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <600 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 500mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <180 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <185 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 1 мкА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | >30Ic, Vce = 5mA, 5V |
Постоянный ток коллектора второго транзистора | IC2 | <1 А |