На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBLS4001D,115 | PBLS4001V,115 | PBLS4001Y,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-74-6 | SS Mini-6 (SOT-666) | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <500 мА | <500 мА |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <600 мВт | <300 мВт | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >200Ic, Vce = 10mA, 2V | >200Ic, Vce = 10mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <130 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <130 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | (не задано) | <300 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | (не задано) | 1 мкА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | ||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 2.2 кОм | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | (не задано) | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | (не задано) | >30Ic, Vce = 20mA, 5V | >30Ic, Vce = 20mA, 5V |
Постоянный ток коллектора второго транзистора | IC2 | <1 А | (не задано) | (не задано) |