PBLS2004D,115

PBLS2004, PBLS2004D,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBLS2004D,115
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-6
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<400 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>220Ic, Vce = 100mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<185 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток отсечки коллектора
Ifrc
100 нА
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Сопротивление, подключенное к базе
RB
22 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
22 кОм
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора
UCE-sat2
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора
hFE2
>60Ic, Vce = 5mA, 5V
Постоянный ток коллектора второго транзистора
IC2
<1 А