PBLS2002

PBLS2002, PBLS2002D,115, PBLS2002S,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBLS2002D,115PBLS2002S,115
Корпус микросхемы
Корпус
SC-74-68-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<3 А
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<400 мВт<550 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>220Ic, Vce = 100mA, 2V>220Ic, Vce = 500µA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 50mA, 1A<255 мВIb, Ic = 100mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<185 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)1 NPN Prebiased, 1 PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
100 нА(не задано)
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Сопротивление, подключенное к базе
RB
4.7 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
4.7 кОм
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора
UCE-sat2
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора
hFE2
>30Ic, Vce = 10mA, 5V
Постоянный ток коллектора второго транзистора
IC2
<1 А<100 мА