На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBLS1502V,115 | PBLS1502Y,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | <100 мА |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 10mA, 2V | >30.2Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 10mA, 200mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <280 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 100 нА | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 4.7 кОм | |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 4.7 кОм | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | (не задано) |
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | (не задано) |
Постоянный ток коллектора второго транзистора | IC2 | (не задано) | <500 мА |