На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSTB60BDW1T1 | NSTB60BDW1T1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <150 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 5mA, 10V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN Prebiased, 1 PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 22 кОм | |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 47 кОм | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | |
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | |