На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSBC143EDP6T5G | NSBC143EDXV6T1 | NSBC143EDXV6T1G | NSBC143EF3T5G | NSBC143EPDXV6T1 | NSBC143EPDXV6T1G | NSBC143TDXV6T1 | NSBC143TDXV6T1G | NSBC143TPDXV6T1 | NSBC143TPDXV6T1G | NSBC143ZDP6T5G | NSBC143ZDXV6T1 | NSBC143ZDXV6T1G | NSBC143ZF3T5G | NSBC143ZPDP6T5G | NSBC143ZPDXV6T1G | NSBC143ZPDXV6T5 | NSBC143ZPDXV6T5G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-1123 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-1123 | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | (не задано) | <100 мА | <100 мА | (не задано) | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | <100 мА | <100 мА | (не задано) | (не задано) | <100 мА | <100 мА | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | (не задано) | <50 В | <50 В | (не задано) | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | <50 В | <50 В | (не задано) | (не задано) | <50 В | <50 В | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | (не задано) | >15Ic, Vce = 5mA, 10V | >15Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | >15Ic, Vce = 5mA, 10V | >15Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | (не задано) | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | (не задано) | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | (не задано) | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | (не задано) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | (не задано) | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | (не задано) | (не задано) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | 500 нА | 500 нА | 500 нА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||||||||||||||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм |