На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSBC123EDXV6T1 | NSBC123EDXV6T1G | NSBC123EPDXV6T1 | NSBC123EPDXV6T1G | NSBC123JDP6T5G | NSBC123JDXV6T1 | NSBC123JDXV6T1G | NSBC123JDXV6T5 | NSBC123JDXV6T5G | NSBC123JF3T5G | NSBC123JPDP6T5G | NSBC123JPDXV6T1 | NSBC123JPDXV6T1G | NSBC123JPDXV6T5G | NSBC123TDP6T5G | NSBC123TF3T5G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-1123 | SOT-963 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-963 | SOT-1123 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | (не задано) | <100 мА | <100 мА | <100 мА | (не задано) | (не задано) |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | <50 В | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | (не задано) | <50 В | <50 В | <50 В | (не задано) | (не задано) |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | (не задано) | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | (не задано) | (не задано) |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | >8Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | (не задано) | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | (не задано) |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | (не задано) | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | (не задано) | (не задано) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | (не задано) | (не задано) |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | 500 нА | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | 500 нА | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||||||||||||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | (не задано) | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | (не задано) | (не задано) | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | (не задано) | (не задано) |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) |