На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NSBA115EDXV6T1G | NSBA115TDP6T5G | NSBA115TF3T5G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | SOT-963 | SOT-1123 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | (не задано) | (не задано) |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | (не задано) | (не задано) |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | (не задано) | (не задано) |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | (не задано) | (не задано) |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 100 кОм | (не задано) | (не задано) |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 100 кОм | (не задано) | (не задано) |