На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NP0G3D100A | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SSS Mini 6 |
Производитель | Производитель | Panasonic - SSG |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <80 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <125 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80.2Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <80 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Предельная частота коэффициента передачи тока второго биполярного транзистора | fh212 | <150 МГц |