На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MUN5335DW1T1 | MUN5335DW1T1G | MUN5335DW1T2 | MUN5335DW1T2G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <385 мВт | <385 мВт | (не задано) | (не задано) |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | |||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 47 кОм | |||