На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MUN5311DW1T1 | MUN5311DW1T1G | MUN5311DW1T2G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | (не задано) |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | <50 В | (не задано) |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <385 мВт | <385 мВт | (не задано) |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | (не задано) |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | (не задано) |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) |