На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IMH20TR1 | IMH20TR1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-74-6 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 50mA, 5V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <80 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | |