На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | EMF5T2R | EMF5XV6T5 | EMF5XV6T5G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT6 | SOT-563 | SOT-563 |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >270Ic, Vce = 10mA, 2V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN Prebiased, 1 PNP |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | 500 нА |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 47 кОм | ||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 47 кОм | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA |
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >270Ic, Vce = 10mA, 2V | >270Ic, Vce = 10mA, 2V |
Постоянный ток коллектора второго транзистора | IC2 | <500 мА | <1 А | <1 А |
Предельная частота коэффициента передачи тока второго биполярного транзистора | fh212 | <260 МГц | (не задано) | (не задано) |