На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | EMF21-7 | EMF21T2R | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | EMT6 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Rohm Semiconductor |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | <100 мА |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >270Ic, Vce = 10mA, 2V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <280 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN Prebiased, 1 PNP | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм | |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | |
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | >30Ic, Vce = 5mA, 5V | |
Постоянный ток коллектора второго транзистора | IC2 | <100 мА | <500 мА |
Предельная частота коэффициента передачи тока второго биполярного транзистора | fh212 | <250 МГц | <260 МГц |