На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | EMD4DXV6T1G | EMD4DXV6T5G | EMD4T2R | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | SOT-563 | EMT6 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | (не задано) | (не задано) | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | 500 нА | (не задано) |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 2.1 кОм | 2.1 кОм | (не задано) |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | (не задано) | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |