На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | EMA6DXV5T1 | EMA6DXV5T1G | EMA6DXV5T5G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-553, SOT-5 | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <338 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | ||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 47 кОм | ||