На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DEMD48-7 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером второго транзистора | UCE-sat2 | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |
Cтатический коэффициент передачи тока второго биполярного транзистора | hFE2 | >100Ic, Vce = 10mA, 5V |