На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DDC122LH-7 | DDC122LU-7-F | DDC122TH-7 | DDC122TU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >56Ic, Vce = 10mA, 5V | >56Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 220 Ом | |||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) | (не задано) |