DDC114EU-7

DDC114, DDC114EH-7, DDC114EU-7, DDC114EU-7-F, DDC114TH-7, DDC114TU-7, DDC114TU-7-F, DDC114YH-7, DDC114YU-7, DDC114YU-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDC114EH-7DDC114EU-7DDC114EU-7-FDDC114TH-7DDC114TU-7DDC114TU-7-FDDC114YH-7DDC114YU-7DDC114YU-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-563SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-563SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V>68Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Сопротивление, подключенное к базе
RB
10 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
10 кОм10 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм