DDA143

DDA143, DDA143EH-7, DDA143TH-7, DDA143TK-7-F, DDA143TU-7, DDA143TU-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDDA143EH-7DDA143TH-7DDA143TK-7-FDDA143TU-7DDA143TU-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-563SOT-563SOT-26SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт<150 мВт<300 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 1mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA<300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-Biased
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Сопротивление, подключенное к базе
RB
4.7 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
4.7 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)