На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DCX143EH-7 | DCX143EU-7-F | DCX143TH-7 | DCX143TK-7-F | DCX143TU-7 | DCX143TU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SC-74R | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 4.7 кОм | 47 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 4.7 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм |