На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DCX114EH-7 | DCX114EK-7-F | DCX114EU-7 | DCX114EU-7-F | DCX114TH-7 | DCX114TK-7-F | DCX114TU-7-F | DCX114YH-7 | DCX114YK-7-F | DCX114YU-7 | DCX114YU-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-563 | SC-74R | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SC-74R | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-563 | SC-74R | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | ||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >68Ic, Vce = 10mA, 5V | >68Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 100µA, 1mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 2.5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | ||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | ||||||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||||||||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм | ||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | 10 кОм | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм |