На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | UNR511V00L | UNR511VG0L | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | S-Mini 3P | |
Производитель | Производитель | Panasonic - SSG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >6Ic, Vce = 5mA, 10V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 1.5mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <80 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 2.2 кОм | |