UNR4218

UNR4218, UNR421800A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрUNR421800A
Корпус микросхемы
Корпус
New S Type
Производитель
Производитель
Panasonic - SSG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 5mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Ток отсечки коллектора
Ifrc
500 нА
Сопротивление, подключенное к базе
RB
510 Ом
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
5.1 кОм