На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | UNR111D | UNR111E | UNR111F | UNR111H | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | M-Type | |||
Производитель | Производитель | Panasonic - SSG | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <400 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 5mA, 10V | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | >30Ic, Vce = 5mA, 10V | >30Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <80 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | |||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 47 кОм | 47 кОм | 4.7 кОм | 2.2 кОм |
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | 22 кОм | 10 кОм | 10 кОм |