PDTD123

PDTD123, PDTD123EK,115, PDTD123ES,126, PDTD123ET,215, PDTD123TK,115, PDTD123TS,126, PDTD123TT,215, PDTD123YK,115, PDTD123YS,126, PDTD123YT,215

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPDTD123EK,115PDTD123ES,126PDTD123ET,215PDTD123TK,115PDTD123TS,126PDTD123TT,215PDTD123YK,115PDTD123YS,126PDTD123YT,215
Корпус микросхемы
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<50 мВт<250 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 50mA, 5V>40Ic, Vce = 50mA, 5V>40Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>100Ic, Vce = 50mA, 5V>70Ic, Vce = 50mA, 5V>70Ic, Vce = 50mA, 5V>70Ic, Vce = 50mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Ток отсечки коллектора
Ifrc
500 нА
Сопротивление, подключенное к базе
RB
2.2 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм