PDTC143EE,115

PDTC143, PDTC143EE,115, PDTC143EEF,115, PDTC143EK,115, PDTC143EM,315, PDTC143ES,126, PDTC143ET,215, PDTC143ET,235, PDTC143EU,115, PDTC143TE,115, PDTC143TK,115, PDTC143TM,315, PDTC143TS,126, PDTC143TT,215, PDTC143TT,235, PDTC143TU,115, PDTC143XE,115, PDTC143XEF,115, PDTC143XK,115, PDTC143XM,315, PDTC143XS,126, PDTC143XT,215, PDTC143XU,115, PDTC143ZE,115, PDTC143ZEF,115, PDTC143ZK,115, PDTC143ZM,315, PDTC143ZS,126, PDTC143ZT,215, PDTC143ZT,235, PDTC143ZU,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPDTC143EE,115PDTC143EEF,115PDTC143EK,115PDTC143EM,315PDTC143ES,126PDTC143ET,215PDTC143ET,235PDTC143EU,115PDTC143TE,115PDTC143TK,115PDTC143TM,315PDTC143TS,126PDTC143TT,215PDTC143TT,235PDTC143TU,115PDTC143XE,115PDTC143XEF,115PDTC143XK,115PDTC143XM,315PDTC143XS,126PDTC143XT,215PDTC143XU,115PDTC143ZE,115PDTC143ZEF,115PDTC143ZK,115PDTC143ZM,315PDTC143ZS,126PDTC143ZT,215PDTC143ZT,235PDTC143ZU,115
Корпус микросхемы
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>30Ic, Vce = 10mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>50Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V>100Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Ток отсечки коллектора
Ifrc
1 мкА
Сопротивление, подключенное к базе
RB
4.7 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм4.7 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм