На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PDTC143EE,115 | PDTC143EEF,115 | PDTC143EK,115 | PDTC143EM,315 | PDTC143ES,126 | PDTC143ET,215 | PDTC143ET,235 | PDTC143EU,115 | PDTC143TE,115 | PDTC143TK,115 | PDTC143TM,315 | PDTC143TS,126 | PDTC143TT,215 | PDTC143TT,235 | PDTC143TU,115 | PDTC143XE,115 | PDTC143XEF,115 | PDTC143XK,115 | PDTC143XM,315 | PDTC143XS,126 | PDTC143XT,215 | PDTC143XU,115 | PDTC143ZE,115 | PDTC143ZEF,115 | PDTC143ZK,115 | PDTC143ZM,315 | PDTC143ZS,126 | PDTC143ZT,215 | PDTC143ZT,235 | PDTC143ZU,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-89 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-89 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-89 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||||||||||||||||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >30Ic, Vce = 10mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >200Ic, Vce = 1mA, 5V | >50Ic, Vce = 10mA, 5V | >50Ic, Vce = 10mA, 5V | >50Ic, Vce = 10mA, 5V | >50Ic, Vce = 10mA, 5V | >50Ic, Vce = 10mA, 5V | >50Ic, Vce = 10mA, 5V | >50Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V | >100Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | <100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||||||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 1 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 4.7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм |