PDTC114EE,115

PDTC114, PDTC114EE,115, PDTC114EK,115, PDTC114EK,135, PDTC114EM,315, PDTC114ES,126, PDTC114ET,215, PDTC114ET,235, PDTC114EU,115, PDTC114EU,135, PDTC114TE,115, PDTC114TEF,115, PDTC114TK,115, PDTC114TM,315, PDTC114TS,126, PDTC114TT,215, PDTC114TT,235, PDTC114TU,115, PDTC114YE,115, PDTC114YE,135, PDTC114YEF,115, PDTC114YK,115, PDTC114YM,315, PDTC114YS,126, PDTC114YT,215, PDTC114YU,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPDTC114EE,115PDTC114EK,115PDTC114EK,135PDTC114EM,315PDTC114ES,126PDTC114ET,215PDTC114ET,235PDTC114EU,115PDTC114EU,135PDTC114TE,115PDTC114TEF,115PDTC114TK,115PDTC114TM,315PDTC114TS,126PDTC114TT,215PDTC114TT,235PDTC114TU,115PDTC114YE,115PDTC114YE,135PDTC114YEF,115PDTC114YK,115PDTC114YM,315PDTC114YS,126PDTC114YT,215PDTC114YU,115
Корпус микросхемы
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-89SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-101, SOT-883TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<150 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<500 мВт<250 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>80Ic, Vce = 5mA, 5V>30Ic, Vce = 5mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V>100Ic, Vce = 5mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA<100 мВIb, Ic = 250µA, 5mA
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedPNP Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-BiasedNPN Pre-Biased
Ток отсечки коллектора
Ifrc
1 мкА
Сопротивление, подключенное к базе
RB
47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм10 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм10 кОм(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм47 кОм