На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PDTA124EE,115 | PDTA124EK,115 | PDTA124EM,315 | PDTA124ES,126 | PDTA124ET,215 | PDTA124EU,115 | PDTA124EU,135 | PDTA124TE,115 | PDTA124TK,115 | PDTA124TM,315 | PDTA124TS,126 | PDTA124TT,215 | PDTA124TU,115 | PDTA124XE,115 | PDTA124XK,115 | PDTA124XM,315 | PDTA124XS,126 | PDTA124XT,215 | PDTA124XU,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||||||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | ||||||||||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | PNP Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | NPN Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased | PNP Pre-Biased |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 1 мкА | ||||||||||||||||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 22 кОм | ||||||||||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | (не задано) | 22 кОм | 22 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 22 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм |