На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PDTA115EE,115 | PDTA115EK,115 | PDTA115EM,315 | PDTA115ES,126 | PDTA115ET,215 | PDTA115EU,115 | PDTA115TE,115 | PDTA115TK,115 | PDTA115TM,315 | PDTA115TS,126 | PDTA115TT,215 | PDTA115TU,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-101, SOT-883 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <20 мА | <20 мА | <20 мА | <20 мА | <20 мА | <20 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <500 мВт | <250 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <150 мВIb, Ic = 250µA, 5mA | |||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 1 мкА | |||||||||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 100 кОм | |||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | 100 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |