На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBRP123ES,126 | PBRP123ET,215 | PBRP123YS,126 | PBRP123YT,215 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <800 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | <40 В | <50 В | <40 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <570 мВт | <500 мВт | <570 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | (не задано) | >180Ic, Vce = 300mA, 5V | (не задано) | >230Ic, Vce = 300mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 10mA, 500mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | (не задано) | 500 нА |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | |||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 10 кОм |