PBRN123EK,115

PBRN123, PBRN123EK,115, PBRN123ES,126, PBRN123ET,215, PBRN123YK,115, PBRN123YS,126, PBRN123YT,215

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPBRN123EK,115PBRN123ES,126PBRN123ET,215PBRN123YK,115PBRN123YS,126PBRN123YT,215
Корпус микросхемы
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<600 мА<800 мА<600 мА<600 мА<800 мА<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<570 мВт<700 мВт<570 мВт<570 мВт<700 мВт<570 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>280Ic, Vce = 300mA, 5V>280Ic, Vce = 300mA, 5V>280Ic, Vce = 300mA, 5V>500Ic, Vce = 300mA, 5V>500Ic, Vce = 300mA, 5V>500Ic, Vce = 300mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Pre-Biased
Ток отсечки коллектора
Ifrc
500 нА
Сопротивление, подключенное к базе
RB
2.2 кОм
Сопротивление между эмиттером и базой
RE-B
2.2 кОм2.2 кОм2.2 кОм480 Ом480 Ом480 Ом