На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBRN123EK,115 | PBRN123ES,126 | PBRN123ET,215 | PBRN123YK,115 | PBRN123YS,126 | PBRN123YT,215 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | <800 мА | <600 мА | <600 мА | <800 мА | <600 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <570 мВт | <700 мВт | <570 мВт | <570 мВт | <700 мВт | <570 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >280Ic, Vce = 300mA, 5V | >280Ic, Vce = 300mA, 5V | >280Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | |||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 2.2 кОм | |||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 2.2 кОм | 480 Ом | 480 Ом | 480 Ом |