На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PBRN113EK,115 | PBRN113ES,126 | PBRN113ET,215 | PBRN113ZK,115 | PBRN113ZS,126 | PBRN113ZT,215 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <800 мА | <600 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <570 мВт | <700 мВт | <570 мВт | <570 мВт | <700 мВт | <570 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >180Ic, Vce = 300mA, 5V | >180Ic, Vce = 300mA, 5V | >180Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V | >500Ic, Vce = 300mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <220 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <220 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <220 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA | <160 мВIb, Ic = 10mA, 500mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | |||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 1 кОм | |||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 1 кОм | 1 кОм | 1 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм |