На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MUN2211JT1 | MUN2211JT1G | MUN2211T1 | MUN2211T1G | MUN2211T3 | MUN2211T3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | |||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <2.7 Вт | <2.7 Вт | <338 мВт | <338 мВт | <338 мВт | <338 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | |||||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм | |||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | |||||