На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MUN2115T1G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <338 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >160Ic, Vce = 5mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм |