На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MUN2111T1 | MUN2111T1G | MUN2111T3 | MUN2111T3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <338 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >35Ic, Vce = 5mA, 10V | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Pre-Biased | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | 500 нА | |||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм | |||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | |||