На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTD114EKT146 | DTD114ESTP | DTD114GKT146 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >56Ic, Vce = 50mA, 5V | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | ||
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 10 кОм | ||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) |