На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTC144ECA-TP | DTC144EET1 | DTC144EET1G | DTC144EETL | DTC144EE-TP | DTC144EKAT146 | DTC144EKA-TP | DTC144EM3T5G | DTC144EMT2L | DTC144ESATP | DTC144EUAT106 | DTC144EUA-TP | DTC144GKAT146 | DTC144GUAT106 | DTC144TCA-TP | DTC144TETL | DTC144TE-TP | DTC144TKAT146 | DTC144TKA-TP | DTC144TM3T5G | DTC144TSATP | DTC144TT1 | DTC144TT1G | DTC144TUAT106 | DTC144TUA-TP | DTC144VKAT146 | DTC144VSATP | DTC144VUAT106 | DTC144WET1 | DTC144WETL | DTC144WKAT146 | DTC144WM3T5G | DTC144WSATP | DTC144WUAT106 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-723 | SC-72-3, SPT | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-723 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <300 мВт | <230 мВт | <230 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <260 мВт | <300 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >160Ic, Vce = 5mA, 10V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >33Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | 500 нА | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | 47 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм | (не задано) | 4.7 кОм | 4.7 кОм | 22 кОм | 4.7 кОм | 4.7 кОм |