На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DTC124ECA-TP | DTC124EET1G | DTC124EETL | DTC124EE-TP | DTC124EKAT146 | DTC124EKA-TP | DTC124EM3T5G | DTC124EMT2L | DTC124ESATP | DTC124EUAT106 | DTC124EUA-TP | DTC124GKAT146 | DTC124GSATP | DTC124GUAT106 | DTC124TETL | DTC124TKAT146 | DTC124TSATP | DTC124TUAT106 | DTC124XET1 | DTC124XET1G | DTC124XETL | DTC124XKAT146 | DTC124XM3T5G | DTC124XMT2L | DTC124XSATP | DTC124XUAT106 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SOT-523 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-723 | VMT3 | SC-72-3, SPT | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | <300 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <300 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт | <200 мВт | <600 мВт | <150 мВт | <300 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >60Ic, Vce = 5mA, 10V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >56Ic, Vce = 5mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >100Ic, Vce = 1mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >80Ic, Vce = 5mA, 10V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V | >68Ic, Vce = 5mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | (не задано) | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Pre-Biased | |||||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 500 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Сопротивление, подключенное к базе | RB | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||
Сопротивление между эмиттером и базой | RE-B | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | 22 кОм | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 47 кОм | 47 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 47 кОм | 10 кОм | 10 кОм | 10 кОм |